Fotodiodo InGaAs TO46 de 32 μm y 10 G

 

 

• Alta capacidad de respuesta (mayor o igual a 0,7 A/W): Garantiza una conversión de señal eficiente, lo que reduce el consumo de energía para la producción de módulos ópticos a gran-escala-ideal para compradores mayoristas de fotodiodos InGaAs TO46 centrados en la eficiencia energética.

• Corriente oscura baja (menor o igual a 1 nA a 5 V): Minimiza el ruido de la señal, fundamental para aplicaciones de detección y telecomunicaciones de alta-precisión. Esta ventaja reduce las tasas de error para implementaciones masivas.

• Baja capacitancia (menor o igual a 0,25 pF): Permite un rendimiento estable del ancho de banda 10G, cumpliendo con los requisitos de velocidad de los módulos 10G SFP+ y las redes de centros de datos.

• Paquete de soldadura láser y TO-CAN: Mejora la estabilidad mecánica y la resistencia térmica (temperatura de funcionamiento de -40 a 85 grados), lo que garantiza una larga vida útil (mayor o igual a 50 000 horas) y reduce los costos de reemplazo para los clientes de fotodiodos InGaAs que compran al por mayor.

• Baja pérdida de retorno (mayor o igual a 35 dB): Reduce el reflejo de la señal, mejorando la integridad del sistema-esencial para proyectos de infraestructura de telecomunicaciones.

 

 

• Redes de telecomunicaciones: Compatible con sistemas SDH/SONET, que admite recepción de señal de alta-velocidad en enlaces de fibra óptica de larga-recorrido-perfecto para altas Fiabilidad Fotodiodo InGaAs de 32 μm para adquisiciones de telecomunicaciones.

• Módulos ópticos 10G SFP+: Se utiliza en transceptores de centros de datos para convertir señales ópticas en señales eléctricas, con baja capacitancia (menor o igual a 0,25 pF) que garantiza una pérdida mínima de señal.

• Detección de fibra óptica: Ideal para sistemas de detección industriales (por ejemplo, alcance láser, monitoreo de temperatura) gracias a su amplia longitud de onda operativa (1100-1650 nm) y baja corriente oscura.

• Automatización Industrial: Integrado en equipos de comunicación óptica para la automatización de fábricas, donde la larga vida útil (mediante soldadura láser) reduce los costos de mantenimiento para los compradores mayoristas de fotodiodo InGaAs TO46.

 

Unidades de Venta	Artículo único
Tamaño de paquete único	20X15X5 cm (Embalaje flexible, apto para transporte internacional)
Peso bruto único	0,250 kilos

Cantidad (piezas)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Plazo de entrega (días)	14	20	30	Para ser negociado

Ofrecemos soluciones ODM de fotodiodos InGaAs personalizadas para satisfacer sus requisitos específicos:

• Parámetros personalizables: Diámetro del área fotosensible (32 μm/50 μm/75 μm), tipo de paquete (TO46/TO56), longitud del cable y diseño de la lente.

• Ciclo de desarrollo: 7-15 días (muestra primero; la producción a granel comienza después de la aprobación de la muestra).

 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Tipo	Máx.	Unidad
poder de saturación	PD	3	-	-	dBm
Corriente directa	Si	-	-	10	mamá
Voltaje del inversor	VR	-	5	15	V
Temperatura del caso operativo	Arriba	-40	-	85	grado
Temperatura de almacenamiento	Tstg	-40	-	85	grado
Soldadura de plomo (temperatura/tiempo)	-	-	260/10	-	grado /seg

 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Tipo	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Longitud de onda operativa	λ	1100	-	1650	Nuevo Méjico
Responsividad	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
corriente oscura	Identificación	-	0.2	1	n / A	Vr=5V
Capacidad	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz, caso abierto
Ancho de banda	bw	10	-	-	GHz	Vr=5V, carga 50 con longitud de cable=6mm, caja abierta
Pérdida de retorno óptico	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

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