Diodo láser 1,25G EPON ONU BOSA

Parámetro

Símbolo

mín.

Tipo

máx.

Unidad

Temperatura de almacenamiento

Tstg

-40

+85

grado

Temperatura del caso operativo

superior

-10

+85

grado

Corriente directa directa (LD)

Si(LD)

100

mamá

Voltaje inverso (LD)

VR(LD)

2

V

Corriente directa (MPD)

Si(PD)

2

mamá

Voltaje inverso (MPD)

VR(PD)

15

V

Soldadura de plomo (temperatura)/(tiempo)

-

260/10 o 360/5

grado /seg

Humedad relativa de almacenamiento

RH

5

95

%

LD TO-CAN y conjunto de carcasa
Fuerza de tracción

-

30

kilos

Fijar-TIA A-CAN y ensamblaje de carcasa
Fuerza de tracción

Tstd

15

kilos

Fuerza de corte de la virola

-

30

kilos

Parámetro

Símbolo

mín.

Tipo

máx.

Unidad

Condición de prueba

Longitud de onda central

λc

1260

1270

1280

Nuevo Méjico

CW, si=Ith+20mA

Corriente umbral

Ith

3

8

15

mamá

CW, T=25 grados

-

-

50

mamá

CW, T=85 grados

voltaje directo

vop

-

1.2

1.6

V

Potencia de salida óptica

pf

1.8

-

5.0

mW

CW, si=Ith+20mA, T=25 grado

1.0

-

-

CW, si=Ith+20mA, T=85 grado

Tiempo de subida/tiempo de caída
(20-80%)

Tr/Tf

-

0.1

0.2

ns

Po=Pf, 50 ohmios

Torcedura de poder

PF torcedura

70

%

CW,Io=Ith~Ith+60mA,

Soy pervertido

soy pervertido

70

%

CW, Io=Ith~Ith+60mA

Resistencia equivalente

Rs

5

10

Ω

CW, si=Ith+20mA

Monitorear la corriente

Soy

100

-

1200

ua

CW, si=Ith+20mA

corriente oscura

Identificación

-

-

100

n / A

VRD=5V

Ancho espectral (RMS-20dB)

△λ

-

0.5

1

Nuevo Méjico

CW, si=Ith+20mA

Relación de supresión del modo lateral

SMSR

30

-

-

dB

T=25 grado

Error de seguimiento

TE

-1.5

-

1.5

dB

T=-10-85 grado

Parámetro

Símbolo

mín.

Tipo

máx.

Unidad

Condición de prueba

Longitud de onda operativa

λ

1575

1577

1580

Nuevo Méjico

Tensión de alimentación TIA

VCC

3.0

3.3

3.6

V

Corriente de suministro

CPI

-

-

50

mamá

Sin cargas

Sensibilidad

sen

-

-

-29.5

dBm

λ=1577nm,BER10-3,9,953 Gbps,
NRZ,ER=8.2dB,PRBS=231-1
@Vbr-2V,Tc=-10~85 grados

Poder de saturación

PD

-7

-

-

dBm

Voltaje de ruptura APD

Vbr

27

-

45

V

Id=10uA,Tc=25 grado

Pérdida de retorno óptico

RL

10

-

-

dB

λ=1270nm

20

-

-

dB

λ=1577nm

Diafonía óptica desde
Láser interno

Xoptar

-

-

-45

dB

1270/1577nm

Aislamiento óptico de
Fuente externa

ISO

35

-

-

dB

λ=1260nm-1560nm

35

-

-

dB

λ=1600nm-1675nm