Diodo láser 2.5G GPON ONU BOSA

 

• Alta confiabilidad: Equipado con chips láser DFB de alta confiabilidad, que garantizan un rendimiento estable incluso en entornos hostiles, un factor crítico para el diodo láser 2.5G para sistemas de comunicación de fibra óptica.

• Bajo ruido y distorsión: Minimiza la interferencia de la señal, lo que lo hace adecuado para la transmisión de datos de alta-velocidad en redes GPON.

• Corriente de umbral bajo: Reduce el consumo de energía, ideal para el funcionamiento-a largo plazo en dispositivos ONU.

• Alta capacidad de respuesta y baja pérdida de retorno: Mejora la eficiencia de la recepción de la señal, una ventaja clave para el rendimiento del módulo GPON ONU BOSA.

• Tecnología de soldadura láser: Garantiza una alta confiabilidad y una larga vida útil, lo que reduce los costos de mantenimiento para implementaciones masivas.

• PIN InGaAs-Receptor PD: Ofrece una detección óptica precisa de la señal, complementando el rendimiento del transmisor.

• Equipos e infraestructura de fibra-hasta-el-hogar (FTTH).

• Dispositivos GPON ONU/ONT y terminales de línea óptica.

• Terminales de red óptica y equipos de acceso.

• Transceptores y módulos de comunicación de fibra óptica.

• Infraestructuras de telecomunicaciones y sistemas de banda ancha.

• Equipos de transmisión de datos y proyectos de ampliación de redes.

 

 

• Unidades de Venta: Artículo único (MOQ: 10 piezas)
• Tamaño de paquete único: 20,00*14,00*5,00cm
• Peso de una sola pieza: 0,02 kilogramos
• Método de embalaje: Embalajes flexibles, cajas de cartón y cinta adhesiva, aptos para transporte internacional.

 

--Para pedidos al por mayor de módulos GPON BOSA, hay opciones de embalaje personalizadas disponibles previa solicitud.

 

 

Cantidad (piezas)	1 - 10	11 - 100	101 - 1000	> 1000
Plazo de entrega (días)	10	21	30	Para ser negociado

 

 

• Calidad certificada: Nuestro proceso de fabricación cuenta con la certificación ISO 9001:2015 e ISO 14001:2015, lo que garantiza una calidad constante para cada diodo láser 2,5G GPON ONU BOSA.

• Capacidades ODM: Ofrecemos soluciones personalizadas, que incluyen longitudes de onda personalizadas (1290 nm, 1310 nm, 1550 nm, etc.) y niveles de potencia (2,0 mW, 3,0 mW, etc.) para satisfacer sus necesidades específicas.

• Apoyo técnico: Puede solicitarnos una hoja de datos para obtener parámetros detallados antes de realizar un pedido, o realizar un pedido de muestras para realizar pruebas antes de la compra al por mayor.

• Cadena de suministro global: Como fabricante original, ofrecemos precios al por mayor competitivos de diodo láser 2.5G GPON ONU BOSA y logística confiable para envíos internacionales.

 

Parámetro	Símbolo	mín.	Tipo	máx.	Unidad
Voltaje inverso (LD)	VR(LD)	-	-	2	V
Corriente directa (LD)	Si(LD)	-	-	100	mamá
Voltaje inverso (MPD)	VR(PD)	-	-	15	V
Corriente directa (MPD)	Si(PD)	-	-	2	mamá
Temperatura de almacenamiento	Tstg	-40	-	+85	grado
Temperatura de funcionamiento	superior	-20	-	70	grado
Temperatura/tiempo de soldadura de plomo	ts	-	260/10 o 360/5	-	grado /S
Radio de curvatura de fibra	R	30	-	-	milímetros

 

Parámetro	Símbolo	mín.	Tipo	máx.	Unidad	Condición de prueba
Corriente umbral	Ith	3		15	mamá	CW, T=25 grados
				50	mamá	CW, T=85 grados
voltaje directo	vop		1.2	1.5	V
Potencia de salida óptica	Correos	0.5		1.5	mW	Si=Ith+20mA
Longitud de onda central	λc	1300	1310	1320	Nuevo Méjico	CW, Po= Pf
Tiempo de subida/tiempo de caída (20-80%)	Tr/Tf			120	PD	Si=Ith,Po=Pf, 50 ohmios
Monitorear la corriente	Soy	100		1000	ua	CW, si=Ith+20mA
Capacidad	CPD		10	15	FP	VRD=5V,F=1MHz
corriente oscura	Identificación			100	n / A	VRD=5V
Ancho espectral (RMS-20dB)	△λ		0.5	1	Nuevo Méjico	CW, si=Ith+20mA
Ancho de banda	peso corporal		2.5		GHz
Eficiencia de pendiente	SE	0.025			W/A	CW, si=Ith+20mA
Error de seguimiento	TE	-1.5		1.5	dB	CW, soy=constante y Si=Ith+20mA
Supresión de modo lateral Racionar	SMSR	30			dB	CW, si=Ith+20mA
Ruido de intensidad relativa	Rin			-130	dB/Hz

 

Parámetro	Símbolo	mín.	Tipo	máx.	Unidad	Condición de prueba
Rango de detección Iso(1510>20dB)	λ	1540	1550	1650	Nuevo Méjico
Responsividad	res	0.85			A/W	VR=5V,λ=1550nm
corriente oscura	Identificación			1.0	n / A	VR=5V
Ancho de banda (-3dB)	peso corporal		2.5		GHz
poder de saturación	P	3			dBm
Capacidad	C		0.6	1.0	pF	VR=5V
Pérdida de devolución	rl	40			dB	λ=1550nm

 

 

-X	-X	X	X	X	-X	X	-X	X	R
Tipo conector	LD Tipo	Transmisor Longitud de onda	Fuerza	LD Asignación	Receptor Longitud de onda	PD Asignación	Tarifa de fecha	Aislador	A&V ROHS
F:FC/UPC S:SC/UPC T: ST/PC FA:FC/APC SA:SC/APC	D:DFB F:FP	29:1290 nm 31:1310nm 33:1330nm 45:1450 nm 47:1470 nm 61:1610nm Otros	20:2,0mW 30:3,0mW Otros	R: tipo A B: tipo B Otros	31:1310nm 55:1550nm Otros	B: tipo B F: tipo F SPT: Súper-TIA	2:2,5 Gbps	G: aislador NO: nada	R:pasar ROHS

 

 

 

 

 

 

 

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